臺電8GB U盤，即將國內(nèi)上市

    移動存儲領(lǐng)域歷來都不缺少爆料新聞，這不，從臺電科技傳來稱消息，臺電將于近期推出8GB容量U盤，這是即臺電4月底在國內(nèi)首推4GB容量U盤后的又一力作。據(jù)悉，這款閃存盤的預(yù)計售價為1599元。

    一、三星大廠A級FLASH芯片：

    晶彩U盤可算是臺電主打產(chǎn)品，而8G U盤將采用高檔禮品盒包裝，國際三星原廠A級全容量FLASH芯片，具備超穩(wěn)定性能，USB2.0高速數(shù)據(jù)傳輸。

    二、高存儲容量：

    8GB的超大容量空間，足可以存儲41900張1024×768分辨率的32位高清晰JPG圖片或72部高清晰的RMVB格式影片，堪稱海量移動存儲，而這只需通過小拇指般大小的U盤就實(shí)現(xiàn)了。下面為1GB與8GB U盤的對各種格式文件的存儲對比表:

各種文件存儲容量表

    三、高穩(wěn)定、高安全、低耗電量：

    臺電晶彩U盤有比硬盤更為優(yōu)秀的防撞擊能力，由于硬盤采用磁介質(zhì)，依賴磁頭進(jìn)行讀寫操作，在磁盤振動時，磁頭與磁盤間的碰撞易產(chǎn)生物理壞道，而閃存芯片采用電擦寫操作，更為具體來說，閃存是一種無機(jī)械結(jié)構(gòu)的隨機(jī)存儲器，不受外部振動等因素影響。耗電量只是硬盤的5%。真正的靜音存儲產(chǎn)品。

    四、高傳輸速率：

    即便是目前7200轉(zhuǎn)主流的SATA硬盤，其內(nèi)部讀寫速度最高也只有56MB左右，表面看，似乎硬盤寫入速度很快，但其實(shí)硬盤并非在單位時間內(nèi)寫入這些數(shù)據(jù)而是依賴磁盤高速緩存，通常硬盤寫入一個扇區(qū)的時間需要200ms（NTFS系統(tǒng)默認(rèn)每個扇區(qū)大小為4KB）。而臺電晶彩U盤的內(nèi)部讀/寫速度則要快很多。臺電晶彩U盤能夠在低于一毫秒的時間內(nèi)對任意位置的存儲單元完成I/O（輸入/輸出）操作，采用電擦除方式，每個區(qū)塊大小為128KB，擦除速度遠(yuǎn)高于硬盤的，而不同的閃存芯片寫入速度也比硬盤高很多。當(dāng)然，由于USB2.0接口的的速度限制，U盤的外部傳輸速度無法同硬盤比，但在內(nèi)部操作時，（例如：備份某個文件到當(dāng)前磁盤分區(qū)的另一個文件夾），其備份速度要遠(yuǎn)高于在硬盤中操作。

    五、小巧便捷：

    攜帶方便是臺電U盤的一個特色，以前U盤容量的限制并未發(fā)揮出其的優(yōu)勢，而現(xiàn)在，臺電U盤實(shí)現(xiàn)了8GB的超大容量，重要的資料、各種應(yīng)用軟件、影音/影像文件都能夠輕松保存，現(xiàn)在您無需再為容量而煩惱，海量數(shù)據(jù)盡在掌握。

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